Anders als in den letzten Jahren hat Samsung 2017 kein eigenes SSD Summit in Südkorea veranstaltet um Neuigkeiten vorzustellen. Stattdessen nimmt Samsung am Flash Memory Summit teil und kündigt dort direkt einige Neuerungen an, teilweise allerdings erst für das nächste Jahr.
Für 2018 kann man dann allerdings teils große Sprünge von Samsung in Sachen SSD erwarten. Die wichtigste Neuerung könnte hierbei QLC-NAND sein.
Um die Speicherdichte zu erhöhen hatte Samsung 2012 nach schnellem, teuren SLC und MLC-NAND mit der SSD 840 erstmals TLC-NAND auf den Markt gebracht. Auch hier kam die Physik mit aktuellen Fertigungsmethoden an ihre Grenze und so folgte rund zwei Jahre später mit der SSD 850 PRO die erste SSD mit 3D V-NAND ein. Hier lag der Clou darin, dass man die NAND-Zellen drehte und so mehrlagig stapeln konnte. Die Speicherkapazität wurde nun also vereinfacht über das Stapeln von mehreren Lagen an TLC-NAND erhöht. Eine detaillierte Erklärung findet sich hier. Seitdem hatte Samsung die Lagenanzahl immer erhöht, der Fokus lag zuletzt jedoch eher darauf, mit neuen Controllern und emuliertem SLC-Cache die Geschwindigkeit der SSDs zu erhöhen. Für 2018 deutet sich nun aber wieder ein Sprung in Sachen Kapazität an.
Samsung QLC-NAND. © PC Perspective
Diesmal allerdings nicht über mehr Lagen des 3D V-NAND, sondern durch die Einführung von QLC-NAND (Quadrupel Level Cell). Dieser ermöglicht dann vier Bit pro Zelle zu speichern. Im Fall des Schrittes von MLC auf TLC war mit den verschiedenen Spannungsleveln allerdings auch die Haltbarkeit des NANDs ein Thema, ob dies auch für den kommenden QLC-NAND nennenswerte Auswirkungen haben wird ist bisher nicht klar. Mit QLC-NAND werden neue Speichergrößen ermöglicht, so hat Samsung angekündigt, Chips mit einem Terabit herstellen zu wollen, was Packages von 2 TB bei 16 gestapelten Dies ermöglicht. Auf dieser Basis wurde auch direkt die erste SSD angekündigt: die Server-SSD PM1643 – wohlgemerkt für den Businesseinsatz und (noch?) nicht im Consumer-Bereich. Für den Businessbereich stellte Samsung bei der Gelegenheit auch noch die nächste Generation des Z-NAND vor. Einem Hochleistungs-NAND, der mit Intels Optane-SSDs mithalten soll. Im Ergebnis in der ersten Generation ein optimierter SLC-NAND, der nun in der zweiten Generation auf optimierten MLC-NAND setzt und hierdurch deutlich günstiger aber nur wenig langsamer wird.
M.3 oben, darunter eine SSD im M.2-Formfaktor
Mit am interessantesten dürfte neben QLC in Zukunft eine andere Ankündigung werden: mit M.3 kündigte Samsung einen neuen Formfaktor für SSDs an, der etwas breiter als bisheriger M.2-Speicher ist. Hierdurch können zwei Packages nebeneinander verbaut werden und der Speicher so die doppelte Kapazität erreichen. Das große Fragezeichen steht hier allerdings hinter der Frage, ob sich Standard überhaupt etablieren wird und dann auch im Consumer-Bereich zum Einsatz kommt, oder Servern und Co vorbehalten sein bleibt.
via ComputerBase und PC Perspective
Danke: androidnext